大功率IGBT综合特性测试仪
一：主要特点
A：测量多种IGBT、MOS管 B：最大脉冲电流1200A C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V | F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 |
二：应用范围
A：大功率IGBT
B：大功率场效应管（Mosfet）
C：大功率二极管
D：标准低阻值电阻
E：其他测试应用
三：参数
类型 | 数值 | 单位 | 备注 |
最大脉冲电流 Collect node Pulse current | 1200 | A |
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脉冲宽度 Pulse Width | 50至300 | uS | 分档 |
正向压降范围 Forward Sat voltage | >10 | V | 峰值 |
工作频率 Trigger Pulse | 0.1~10 | Hz | 根据器件额定容量选择 |
电源输入电压 Power Requirement | 220 | VAC | 功耗小于500W |
电源输入频率 Frequency | 50 | Hz |
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电源输入功率 Power rate | 200W |
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保险丝 Fuse | 10 | A |
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光纤连线 Fiber line | 3 | m | 长度能加长 |
栅极电压 Vge | -20~+20 | V |
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栅极漏电流测试 Ig Leak current | -2~2 | uA |
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Vgeth | 3~10 | V | IC=900mA Vce=5V |
耐压测试 Voltage test | 0~5000 | VDC |
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耐压测试漏电流 Ic Leak current | 0~2 | mA | Vce=5000V |
耐压测试漏电流 Ic Leak current | 0~4 | mA | Vce=2000V |
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